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小編點評：這樣的擔心并非無道理，希望可以引起重視。
正當賈躍亭搶在蘋果前，宣布取消3.5mm耳機口,Type-C取而代之成為音頻接口一事搞得一時轟動，在國外有人已經質疑Type-C接口作為充電接口帶來的損害。眾所周知，Type-C已經成為一些旗艦手機充電接口的新標準。HTC和LG G5這兩款旗艦機采用高通的快充3.0技術，通過Type-C接口進行充電。
近日，谷歌工程師Benson Leung揭露快充3.0技術不兼容Type-C接口，甚至會給手機帶來永久性的損害。為了打消消費者的疑慮，高通公司特地發(fā)表了官方聲明，稱高通快充技術的連接器是獨立設計的，它可以在一臺設備上以各種接口的形式出現，包括USB Type-A、USB micro、USB Type-C等。目前未收到因為Type-C接口造成快充出故障的問題。
不過，為了謹慎起見，高通還是建議在使用快充設備的時候最好使用手機制造商提供的，或者是經過UL和CE認證的配件。
（舉報）
這款產品通過一個Type-C接口擴展出10個外接端口，包括3個USB3.0接口、1個Type-C供電接口、千兆網口、HDMI接口（支持4K/60Hz）、SD/TF卡槽和3.5mm音頻接口……
vivoX200Ultra已經定檔4月21日發(fā)布，作為超大杯將主打極致影像體驗，甚至官方稱其為V單”。作為專業(yè)影像手機，拍攝手柄自然必不可少，vivo韓伯嘯今天就公布了X200Ultra影像套裝。
榮耀400系列新機通過國家認證，預計5月發(fā)布。標準版搭載驍龍7 Gen4芯片，采用臺積電4nm工藝，6.55英寸1.5K直屏，Geekbench6多核跑分4850，較上代提升23%。Pro版配備驍龍8 Gen3處理器，6.69英寸1.5K等深四曲屏，搭載2億像素主攝。全系支持80W/90W快充，配備新一代青海湖電池，容量或達7000mAh。外觀采用三角排列+圓角矩形底座異形設計，辨識度高。
Redmi Turbo 4 Pro將于4月24日發(fā)布，主打22.5W反向快充功能，可給手表、耳機等設備供電，配備7550mAh大電池。實測可為iPhone 16 Pro Max提供22W快充，接近蘋果原裝充電器速度。該機全球首發(fā)驍龍8s Gen4處理器，安兔兔跑分240萬，采用臺積電4nm工藝，CPU性能提升31%，GPU提升49%。配備6.83英寸1.5K純直屏、金屬中框和冰封散熱系統(tǒng)，質感媲美旗艦機型。
快科技4月16日消息，最新跡象表明，高通的第二代驍龍X Elite已經進入最后開發(fā)階段，相關泄露也多了起來，不出意外的話將在今年10月份的驍龍技術峰會上正式發(fā)布，但落地產品得等到明年了。據稱，二驍龍X Elite的頻率可達4.4GHz左右(應該是加速頻率)，性能估計可提升18-22％。目前的驍龍X Elite采用臺積電N4P 4nm級工藝制造，基礎頻率3.0-3.8GHz不等，加速頻率4.0-4.3GHz不等。乍一看?
快科技4月18日消息，榮耀GT Pro現身Geekbench跑分網站，其型號是PPG-AN00，單核成績是3056，多核成績是9516，預裝Android 15系統(tǒng)，配備16GB內存。Geekbench跑分網站還顯示，榮耀GT Pro首發(fā)搭載的是高通驍龍8 Elite領先版平臺，其CPU主頻達到了4.47GHz，這是安卓陣營CPU頻率最高的手機芯片，相比之下，普通版本的驍龍8 Elite主頻是4.32GHz。據悉，驍龍8 Elite領先版的CPU由24.47GHz Oryon超大核 63.53GHz Ory
五一假期將至，重慶榮昌網紅"鹵鵝哥"林江將帶領游客探訪當地美食。作為榮昌鹵鵝首席推介官，他以獨特風格向全網推廣家鄉(xiāng)美食。行程中不僅介紹榮昌鹵鵝的獨特風味，還推薦烤乳豬、豬兒粑、油果子等特色小吃。跟隨他的腳步，游客能深入了解榮昌美食文化，感受小城獨特魅力。這個五一，跟隨鹵鵝哥品味榮昌美食，將是不容錯過的文化美食之旅。
數碼博主爆料高通驍龍8+ Elite 2旗艦芯片將于9月底發(fā)布，10月正式上市。該芯片采用臺積電3nm工藝，CPU主頻提升至4.4GHz，GPU緩存增至16MB，性能提升30%，功耗降低9%。首批搭載機型包括小米16系列、Redmi K90 Pro、真我GT8 Pro等。該芯片還支持SME指令集，可更高效處理多媒體和圖形任務。與此同時，安卓廠商將正面迎戰(zhàn)9月亮相的iPhone 17系列新品。
快科技4月22日消息，在正在舉辦的2025華為智能電動智能充電網絡發(fā)布會”上，華為重磅發(fā)布了業(yè)界首個全液冷兆瓦快充解決方案。峰值功率為1.5兆瓦，每分鐘可補能20度電，最大充電電流達2400安培（可穩(wěn)定輸出15分鐘），僅15分就能讓300度的電池包完成滿電循環(huán)，補能效率較傳統(tǒng)快充樁提升近4倍。華為兆瓦超充采用浸沒式液冷技術，攻克高功率充電時的熱失控難題，還能在-30℃至60℃的極端環(huán)境下穩(wěn)定運行，故障率降低50%，設備壽命延長至15年。搭載自主研發(fā)的SiC芯片，能量密度是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，配合智能功率分配算法，可動態(tài)調節(jié)輸出功率，
真我GT7已經官宣本月發(fā)布，將是首批聯發(fā)科天璣9400旗艦之一。天璣9400由1顆3.73GHz超大核、3顆3.30GHz超大核和4顆2.4GHz大核組成，其中3.73GHz超大核刷新了聯發(fā)科天璣系列芯片的頻率紀錄。真我GT7敢喊出性能至尊、續(xù)航至尊，提供天璣9400滿血性能和頂級續(xù)航組合，不必在續(xù)航和性能之間二選一。
