站長之家(ChinaZ.com) 6月17日消息:據(jù)路透社報(bào)道，臺(tái)積電研發(fā)資深副總經(jīng)理Y.J. Mii在臺(tái)積電技術(shù)論壇上表示，公司將在 2024 年引進(jìn)ASML高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）光刻機(jī)。臺(tái)積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總經(jīng)理Y.J. Mii稱，臺(tái)積電 2024 年還不準(zhǔn)備運(yùn)用新的高數(shù)值孔徑EUV工具生產(chǎn)，將主要用于與合作伙伴的研究。
臺(tái)積電研發(fā)高級(jí)副總裁Y.J. Mii在臺(tái)積電硅谷技術(shù)研討會(huì)上表示：「展望未來，臺(tái)積電將在 2024 年引入 High-NA EUV光刻機(jī)，以開發(fā)客戶所需的相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和圖案化解決方案，并推動(dòng)創(chuàng)新?！?/p>
「臺(tái)積電在 2024 年擁有它，意味著他們可以更快地獲得最先進(jìn)的技術(shù)，」參加研討會(huì)的 TechInsights 的芯片經(jīng)濟(jì)學(xué)家 Dan Hutcheson 說?！窫UV 技術(shù)對(duì)于處于領(lǐng)先地位至關(guān)重要，high-NA EUV 是技術(shù)的下一個(gè)重大創(chuàng)新，它將使芯片技術(shù)處于領(lǐng)先地位。」
報(bào)道稱，英特爾進(jìn)入芯片代工業(yè)，將與臺(tái)積電競爭客戶。英特爾曾表示， 2025 年將開始以高數(shù)值孔徑EUV進(jìn)行生產(chǎn)，還說將率先收到這種機(jī)器。業(yè)界正密切關(guān)注哪家企業(yè)掌握下一代芯片技術(shù)的優(yōu)勢。
（舉報(bào)）